Número de Producto del Fabricante:
ZXMC6A09DN8TA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMC6A09DN8TA-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 3.9A, 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventario:
500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12886362
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ENVIAR
ZXMC6A09DN8TA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.9A, 3.7A
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Potencia - Máx.
1.8W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
ZXMC6A09
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
ZXMC6A09DN8TATR
ZXMC6A09DN8TACT-NDR
ZXMC6A09DN8TACT
ZXMC6A09DN8TATR-NDR
ZXMC6A09DN8TADKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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