Número de Producto del Fabricante:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMWS120H100SM4-DG
Descripción:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
2 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001177
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ENVIAR
DMWS120H100SM4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1516 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
DMWS120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
31-DMWS120H100SM4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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TRENCH >=100V PG-TO247-3
