Número de Producto del Fabricante:
DMTH6016LPD-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMTH6016LPD-13-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventario:
5000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12949249
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ENVIAR
DMTH6016LPD-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
864pF @ 30V
Potencia - Máx.
2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8
Número de producto base
DMTH6016
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
DMTH6016LPD-13-DG
31-DMTH6016LPD-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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