Número de Producto del Fabricante:
DMTH10H4M6SPSW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMTH10H4M6SPSW-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 115A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventario:
13242567
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ENVIAR
DMTH10H4M6SPSW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta), 115A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4327 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMTH10H4M6SPSW-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMTH10H4M6SPSWQ-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMTH10H4M6SPSWQ-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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