Número de Producto del Fabricante:
DMT6012LPSW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT6012LPSW-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 13.1A (Ta), 31.5A (Tc) 3.1W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventario:
12978514
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMT6012LPSW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.1A (Ta), 31.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1522 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 17.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMT6012LPSW-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMN2053UWQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
BSS123K-13
BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
DMP3056LDMQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
