Número de Producto del Fabricante:

DMT6009LJ3

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT6009LJ3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)

Inventario:

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DMT6009LJ3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

74.5A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

33.5 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1925 pF @ 30 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.9W (Ta), 83.3W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-251 (Type TH)

Paquete / Caja

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número de producto base

DMT6009

Información Adicional

Paquete Estándar

75

Otros nombres

DMT6009LJ3DI

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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