Número de Producto del Fabricante:
DMT12H090LFDF4-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT12H090LFDF4-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 115 V 3.4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6
Inventario:
13270096
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ENVIAR
DMT12H090LFDF4-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
115 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
251 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DFN2020-6
Paquete / Caja
6-PowerXDFN
Número de producto base
DMT12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMT12H090LFDF4-7TR
31-DMT12H090LFDF4-7CT
31-DMT12H090LFDF4-7DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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