Número de Producto del Fabricante:
DMT10H072LFDF-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT10H072LFDF-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889056
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ENVIAR
DMT10H072LFDF-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
266 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
U-DFN2020-6 (Type F)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Número de producto base
DMT10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMT10H072LFDF-7CT
31-DMT10H072LFDF-7DKR
31-DMT10H072LFDF-7TR
DMT10H072LFDF-7-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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