Número de Producto del Fabricante:
DMT10H025LSS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT10H025LSS-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 7.1A (Ta) 1.3W (Ta), 12.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Inventario:
12979095
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
fCe0
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMT10H025LSS-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1639 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
DMT10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMT10H025LSS-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMT10H9M9SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMT69M5LCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT10H9M9LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
