Número de Producto del Fabricante:
DMT10H009SSS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT10H009SSS-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 42A (Tc) 1.4W (Ta)
Inventario:
12900955
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ENVIAR
DMT10H009SSS-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
-
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Paquete / Caja
-
Número de producto base
DMT10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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