Número de Producto del Fabricante:
DMPH4011SK3Q-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMPH4011SK3Q-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 79A (Tc) 3.7W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12979231
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ENVIAR
DMPH4011SK3Q-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
79A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 9.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4497 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMPH4011SK3Q-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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