Número de Producto del Fabricante:
DMP65H11D0HSS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMP65H11D0HSS-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Descripción Detallada:
P-Channel 600 V 270mA (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
13000614
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ENVIAR
DMP65H11D0HSS-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
270mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
31-DMP65H11D0HSS-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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