Número de Producto del Fabricante:
DMP2005UFG-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMP2005UFG-7-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Inventario:
12883946
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ENVIAR
DMP2005UFG-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
89A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4670 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
DMP2005
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMP2005UFG-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
756
NÚMERO DE PIEZA
DMP2005UFG-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
TPN4R712MD,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
7052
NÚMERO DE PIEZA
TPN4R712MD,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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