Número de Producto del Fabricante:
DMNH6065SPDW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMNH6065SPDW-13-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 27A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)
Inventario:
12892186
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
0pMd
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMNH6065SPDW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
466pF @ 25V
Potencia - Máx.
2.4W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type R)
Número de producto base
DMNH6065
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
DMNH6065SPDW-13DI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMC2700UDMQ-7
MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
TSM680P06DPQ56 RLG
MOSFET 2P-CH 60V 12A 8DFN
SIL2623-TP
MOSFET 2P-CH 30V 3A SOT23-6L
