Número de Producto del Fabricante:
DMNH6011LK3Q-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMNH6011LK3Q-13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12949635
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ENVIAR
DMNH6011LK3Q-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3077 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
DMNH6011
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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