Número de Producto del Fabricante:
DMN61D8LVT-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN61D8LVT-13-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Inventario:
9150 Pcs Nuevos Originales En Stock
12901235
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ENVIAR
DMN61D8LVT-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
630mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.74nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12.9pF @ 12V
Potencia - Máx.
820mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
TSOT-26
Número de producto base
DMN61
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
DMN61D8LVT-13DICT
DMN61D8LVT-13DITR-DG
DMN61D8LVT-13DITR
31-DMN61D8LVT-13DKR
DMN61D8LVT-13DIDKR-DG
31-DMN61D8LVT-13TR
DMN61D8LVT-13DICT-DG
DMN61D8LVT-13DIDKR
31-DMN61D8LVT-13CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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