Número de Producto del Fabricante:
DMN6010SCTB-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN6010SCTB-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 128A (Tc) 5W (Ta), 312W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
Inventario:
12978692
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMN6010SCTB-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
128A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2692 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263AB (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
DMN6010
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
31-DMN6010SCTB-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMTH4014SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMT6006LK3-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
ZXMN4A06GQTA
MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT223 T&R
