Número de Producto del Fabricante:
DMN26D0UFB4-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN26D0UFB4-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventario:
12950766
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ENVIAR
DMN26D0UFB4-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
230mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 250µA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14.1 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-XFDFN
Número de producto base
DMN26
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN26D0UFB4-7DICT
DMN26D0UFB4-7DIDKR
DMN26D0UFB47
DMN26D0UFB4-7DITR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTNS3164NZT5G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
53648
NÚMERO DE PIEZA
NTNS3164NZT5G-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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