Número de Producto del Fabricante:
DMN2310UFB4-7B
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2310UFB4-7B-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2.1A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventario:
12987404
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ENVIAR
DMN2310UFB4-7B Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
175mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
950mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
38 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
710mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-XFDFN
Número de producto base
DMN2310
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
31-DMN2310UFB4-7BTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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