Número de Producto del Fabricante:
DMG6601LVT-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMG6601LVT-7-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
Inventario:
61614 Pcs Nuevos Originales En Stock
12903704
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ENVIAR
DMG6601LVT-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.8A, 2.5A
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
422pF @ 15V
Potencia - Máx.
850mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
TSOT-26
Número de producto base
DMG6601
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMG6601LVT-7DICT
DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT-7DIDKR
DMG6601LVT7
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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