Número de Producto del Fabricante:
CP375-CWDM3011N-CT
Product Overview
Fabricante:
Central Semiconductor Corp
Número de pieza:
CP375-CWDM3011N-CT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W Surface Mount Die
Inventario:
12989421
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ENVIAR
CP375-CWDM3011N-CT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Central Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
860 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
340
Otros nombres
1514-CP375-CWDM3011N-CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificación DIGI
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