Número de Producto del Fabricante:
AS1M040120T
Product Overview
Fabricante:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Número de pieza:
AS1M040120T-DG
Descripción:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
27 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988896
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ENVIAR
AS1M040120T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Anbon Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
142 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2946 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
4530-AS1M040120T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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