Número de Producto del Fabricante:
AOWF11N60
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOWF11N60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole TO-262F
Inventario:
12849652
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
AOWF11N60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
27.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262F
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
AOWF11
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
5202-AOWF11N60
785-1446-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
FQI1P50TU
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
MTP50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
