Número de Producto del Fabricante:
AOI2210
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOI2210-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO251A
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventario:
12845274
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ENVIAR
AOI2210 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta), 18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2065 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251A
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
AOI22
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,500
Otros nombres
AOI2210-DG
5202-AOI2210
785-1708-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK7Q60W,S1VQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
75
NÚMERO DE PIEZA
TK7Q60W,S1VQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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